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FF300R12KT3P_E

更新时间： 2024-11-20 20:58:19

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	537K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FF300R12KT3P_E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FF300R12KT3P_E 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF300R12KT3P_E

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀDiodeꢀundꢀbereits

aufgetragenemꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀdiodeꢀandꢀpre-applied

ThermalꢀInterfaceꢀMaterial

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 300A / I_CRM= 600A

TypischeꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Motorꢀdrives

• USV-Systeme

• UPSꢀsystems

• Windgeneratoren

• Windꢀturbines

ElektrischeꢀEigenschaften

• NiedrigeꢀSchaltverluste

ElectricalꢀFeatures

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• SehrꢀgroßeꢀRobustheit

• Unbeatableꢀrobustness

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀLeistungsdichte

• IsolierteꢀBodenplatte

MechanicalꢀFeatures

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Highꢀpowerꢀdensity

• Isolatedꢀbaseꢀplate

• Standardgehäuse

• Standardꢀhousing

• Thermisches Interface Material bereits

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

aufgetragen

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀAKB

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25

revision:ꢀV2.1

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF300R12KT3PEHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KT4	INFINEON	获取价格	Technische Information / technical information
FF300R12KT4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF300R12KT4PHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12ME3	INFINEON	获取价格	EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FF300R12ME4	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC
FF300R12ME4_B11	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT
FF300R12ME4B11BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF300R12ME4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF300R12ME4P_B11	INFINEON	获取价格	TIM

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