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SKM300GB12V

更新时间： 2024-02-14 12:33:10
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 263K
描述
SEMITRANS

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SKM300GB12V 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-204包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：2.18
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：443 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X11
元件数量：2端子数量：11
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：2.3 V
Base Number Matches：1

SKM300GB12V 数据手册

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SKM300GB12V  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
420  
319  
300  
900  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3xICnom  
VCC = 720 V  
-20 ... 20  
SEMITRANS® 3  
V
V
GE ≤ 20 V  
CES ≤ 1200 V  
Tj = 125 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
353  
264  
300  
A
A
A
A
A
Tj = 175 °C  
SKM300GB12V  
Features  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
900  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
1548  
-40 ... 175  
• V-IGBT = 6. Generation Trench V-IGBT  
(Fuji)  
°C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
• CAL4 = Soft switching 4. Generation  
CAL-diode  
Tterminal = 80 °C  
500  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
• Isolated copper baseplate using DBC  
technology (Direct Copper Bonding)  
• UL recognized, file no. E63532  
• Increased power cycling capability  
• With integrated gate resistor  
• Low switching losses at high di/dt  
Visol  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Typical Applications*  
• AC inverter drives  
• UPS  
IC = 300 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.85  
2.25  
2.30  
2.55  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
• Electronic welders  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.94  
0.88  
3.03  
4.57  
6
1.04  
0.98  
4.2  
5.23  
6.5  
V
V
m  
m  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Remarks  
• Case temperature limited to  
Tc = 125°C max, recomm.  
VGE = 15 V  
Top = -40 ... +150°C, product  
rel. results valid for Tj = 150°  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 12 mA  
Tj = 25 °C  
5.5  
0.1  
0.3  
VGE = 0 V  
CE = 1200 V  
V
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
18  
1.77  
1.768  
3310  
2.5  
340  
48  
23  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
VCC = 600 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
ns  
I
C = 300 A  
ns  
mJ  
ns  
V
GE = ±15 V  
R
R
G on = 2.5   
G off = 2.5   
576  
69  
di/dton = 7700 A/µs  
di/dtoff = 3500 A/µs  
du/dtoff = 7500 V/  
µs  
ns  
Tj = 150 °C  
Eoff  
33  
mJ  
Rth(j-c)  
per IGBT  
0.11  
K/W  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 5 – 23.03.2011  
1
12345

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SKM300GB12V 替代型号

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