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SKM400GA128D

更新时间: 2024-01-27 06:30:15
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 585K
描述
SPT IGBT Modules

SKM400GA128D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-204包装说明:SEMITRANS 4, CASE D 59, 4 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):565 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X4JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):875 ns标称接通时间 (ton):190 ns
Base Number Matches:1

SKM400GA128D 数据手册

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SKM 400GA128D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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1
11-09-2006 SEN  
© by SEMIKRON  

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