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SKM400GAR12E4

更新时间： 2024-11-09 09:24:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 352K
描述
IGBT4 Modules

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SKM400GAR12E4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-204包装说明：CASE D56, SEMITRANS-7
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：618 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：681 ns
标称接通时间 (ton)：289 nsVCEsat-Max：2.05 V
Base Number Matches：1

SKM400GAR12E4 数据手册

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SKM400GAR12E4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
IGBT  
VCES  
1200  
618  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IC  
Tj = 175 °C  
475  
ICnom  
400  
ICRM  
ICRM = 3xICnom  
1200  
-20 ... 20  
VGES  
SEMITRANS®3  
VCC = 800 V  
VGE ≤ 15 V  
VCES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
IGBT4 Modules  
SKM400GAR12E4  
Features  
• IGBT4 = 4. Generation (Trench)IGBT  
• VCEsat with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability, self  
limiting to 6 x ICNOM  
Inverse diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
440  
329  
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
400  
A
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
1200  
A
1980  
A
-40 ... 175  
°C  
Freewheeling diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
440  
329  
A
A
Tj = 175 °C  
• Soft switching 4. Generation CAL  
diode (CAL4)  
IFnom  
400  
A
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
1200  
A
Typical Applications  
• DC/DC – converter  
• Brake chopper  
1980  
A
-40 ... 175  
°C  
• Switched reluctance motor  
• DC – motor  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
500  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Remarks  
Visol  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
• Case temperature limited to  
Tc = 125°C max, recomm.  
Characteristics  
T
op = -40 ... +150°C, product  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
rel. results valid for Tj = 150°  
IC = 400 A  
VCE(sat)  
Tj = 25 °C  
1.8  
2.2  
2.05  
2.4  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.8  
0.7  
2.5  
3.8  
5.8  
0.1  
0.9  
0.8  
2.9  
4.0  
6.5  
0.3  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
VGE = 15 V  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 15.2 mA  
Tj = 25 °C  
5
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
VGE = 0 V  
CE = 1200 V  
V
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
24.6  
1.62  
1.38  
2260  
1.9  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
GAR  
© by SEMIKRON  
Rev. 2 – 16.06.2009  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM400GAR12E4_0906 SEMIKRON

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