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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKM400GAL124D
SKM400GAL124D PDF预览

SKM400GAL124D

更新时间： 2024-09-30 22:43:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 747K
描述
Low Loss IGBT Modules

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SKM400GAL124D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-204包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.57Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：570 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X5JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2500 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：736 ns标称接通时间 (ton)：150 ns
VCEsat-Max：2.85 VBase Number Matches：1

SKM400GAL124D 数据手册

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SKM 400GB124D  
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SKM 400GB124D  
SKM 400GAL124D  
SKM 400GAR124D  
 
ꢈꢆ 5 13 ꢗꢘE ꢘꢄꢅAE ꢛ? 5 163 7,  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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MKN  
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2ꢖ6  
GB  
GAL  
GAR  
$
C26  
ꢎ
1
19-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
1234

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与SKM400GAL124D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM400GAL125D SEMIKRON

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