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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKM400GAL125D
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SKM400GAL125D

更新时间： 2024-09-30 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 659K
描述
Ultra Fast IGBT Modules

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SKM400GAL125D 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.46Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X5JESD-609代码：e3/e4
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified参考标准：IEC-60747-1
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN/SILVER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：532 ns标称接通时间 (ton)：120 ns
VCEsat-Max：3.85 VBase Number Matches：1

SKM400GAL125D 数据手册

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SKM 400GB125D  
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SKM 400GAL125D  
SKM 400GAR125D  
 
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Features  
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1
20-09-2005 RAA  
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SKM400GAL126D SEMIKRON

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