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SKM400GAL126D

更新时间: 2024-10-01 04:04:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 599K
描述
Trench IGBT Module

SKM400GAL126D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-204包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数:2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):470 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5元件数量:1
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):760 ns
标称接通时间 (ton):380 nsVCEsat-Max:2.15 V
Base Number Matches:1

SKM400GAL126D 数据手册

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Typical Applications  
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Symbol Conditions  
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11-09-2006 SEN  
© by SEMIKRON  

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