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SKM400GA173D1S

更新时间: 2024-02-13 12:55:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 589K
描述
IGBT Modules

SKM400GA173D1S 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-204
包装说明:CASE D 59, SEMITRANS 4, 4 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):440 A
集电极-发射极最大电压:1700 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X4
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1500 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):900 ns
标称接通时间 (ton):670 nsVCEsat-Max:3.9 V
Base Number Matches:1

SKM400GA173D1S 数据手册

 浏览型号SKM400GA173D1S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKM400GA173D1S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKM400GA173D1S的Datasheet PDF文件第4页 
SKM 400GA173D  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
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Units  
 
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SEMITRANS  
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IGBT Modules  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max. Units  
SKM 400GA173D  
SKM 400GA173D1S  
 
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Features  
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Inverse diode  
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&(ꢅꢋꢘ 6 022 +C  =8 6 2  C .? 6 13 ꢉ/13ꢓ  
1ꢖ1 ꢉ/ꢖDꢓ  
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8*  
7*  
 
.? 6 /13 ꢉꢓ 7*  
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1ꢖD  
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0ꢖ1  
 
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Typical Applications  
 
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343'432   
Thermal characteristics  
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2ꢖ23  
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LJM  
,* "ꢇꢙ ꢊꢋꢌꢈꢍꢎꢏ 432'/122   
5ꢇ"ꢌꢄꢐ ꢈꢑꢍꢅꢙꢆꢋꢑꢈ  
ꢃꢛꢄꢈꢐꢕꢄꢅꢎ ꢉꢅꢋꢈ #ꢋꢑ ꢌꢄꢅꢏꢍꢑ ꢇꢙꢏꢓ  
ꢈꢕꢉ?'ꢐꢓ  
,*  
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ꢈꢕꢉ?'ꢐꢓ,  
<
ꢆꢏꢑ ꢘꢋꢒꢇꢌꢏ  
2ꢖ20:  
LJM  
ꢈꢕꢉꢐ'ꢙꢓ  
Mechanical data  
 
ꢈꢋ ꢕꢏꢍꢈꢙꢄꢅN ꢁ$  
0
3
ꢔꢘ  
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ꢈꢋ ꢈꢏꢑꢘꢄꢅꢍꢌꢙ ꢁ$ꢖ ꢁ;  
002  
GA  
1
14-06-2005 SEN  
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