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SKM400GA062D

更新时间： 2024-01-21 04:20:37
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 138K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 475A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SEMITRANS-9

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SKM400GA062D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数：9Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：475 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X9元件数量：1
端子数量：9最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1400 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：780 ns标称接通时间 (ton)：300 ns
VCEsat-Max：2.55 VBase Number Matches：1

SKM400GA062D 数据手册

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SEMITRANS® M  
PT-IGBT Modules  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions 1)  
VCES  
Values  
Units  
V
V
A
A
600  
600  
475 / 400  
950 / 800  
± 20  
SKM 400 GA 062 D *)  
SKM 400 GB 062 D  
VCGR  
IC  
RGE = 20 kΩ  
Tcase = 25/60 °C  
ICM  
Tcase = 25/60 °C; tp = 1 ms  
SKM 400 GAL 062 D 6)  
SKM 400 GAR 062 D 6)  
VGES  
Ptot  
V
per IGBT, Tcase = 25 °C  
1400  
–40 ... +150 (125)  
2500  
W
°C  
V
Tj, (Tstg  
Visol  
)
AC, 1 min.  
humidity DIN 40040  
Class F  
40/125/56  
climate  
DIN IEC 68 T.1  
Inverse Diode; Free Wheeling Diode FWD  
IF = –IC  
T
case = 25/80 °C  
400 / 270  
950 / 800  
2800  
A
A
IFM = –ICM Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
IFSM  
I2t  
tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; Tj = 150 °C  
A
SEMITRANS 3  
39 000  
A2s  
Characteristics  
Symbol Conditions 1)  
6)  
min.  
typ.  
max.  
Units  
V(BR)CES VGE = 0, IC = 4 mA  
≥ VCES  
4,5  
–
–
5,5  
5
25  
–
–
6,5  
12  
–
V
V
mA  
mA  
µA  
V
VGE(th)  
ICES  
VGE = VCE, IC = 9 mA  
VGE = 0 Tj = 25 °C  
CE = VCES Tj = 125 °C  
6)  
GA  
GB  
GAL  
GAR  
V
–
–
–
IGES  
VGE = 20 V, VCE = 0  
1
Features  
VCEsat  
IC = 400 A VGE = 15 V;  
2,3(2,2) 2,55(2,65)  
• N channel, epitaxial Silicon  
structure (PT- Punch-through  
IGBT)  
• High short circuit capability, self  
limiting, if term. G is clamped to E  
• Latch-up free, if clamped as  
above  
Tj = 25 (125) °C  
VCE = 20 V, IC = 400 A  
–
80  
–
–
–
–
V
S
gfs  
CCHC  
Cies  
Coes  
Cres  
LCE  
per IGBT  
–
–
–
–
–
–
700  
–
–
–
20  
pF  
nF  
nF  
nF  
nH  
VGE = 0  
22  
2,5  
1,5  
–
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
• Fast & soft inverse CAL diodes 8)  
• Isolated copper baseplate using  
DCB Direct Copper Bonding  
Technology without hard mould  
• Large clearance (13 mm) and  
creepage distances (20 mm)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
VCC = 300 V  
–
–
–
–
–
–
180  
120  
600  
180  
22  
–
–
–
–
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
mWs  
mWs  
VGE = –15 V / +15 V3)  
IC = 400 A, ind. load  
RGon = RGoff = 5 Ω  
Tj = 125 °C  
40  
Inverse Diode and FWD of types „GAL“, „GAR“ 8)  
Typical Applications → B6 – 61  
VF = VEC IF = 300 A VGE = 0 V;  
VF = VEC IF = 400 A Tj = 25 (125) °C  
–
–
–
–
–
–
1,5(1,4) 1,65(1,6)  
V
V
V
mΩ  
A
µC  
• Switching (not for linear use)  
• Switched mode power supplies  
• AC inverter drives  
• UPS uninterruptable power  
supplies  
1,6(1,6)  
1,8(1,8)  
VTO  
rt  
IRRM  
Qrr  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
–
–
0,9  
3
IF = 400 A; Tj = 125 °C2)  
IF = 400 A; Tj = 125 °C2)  
140  
19  
–
–
Thermal characteristics  
1)  
T
= 25 °C, unless otherwise  
case  
Rthjc  
Rthjc  
Rthch  
per IGBT  
per diode  
per module  
–
–
–
–
–
–
0,09  
0,15  
0,038  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
specified  
2) IF = – IC, VR = 300 V,  
–diF/dt = 2000 A/µs, VGE = 0 V  
3) Use VGEoff = –5... –15 V  
6) The free-wheeling diode of the  
GAL and GAR types have the  
data of the inverse diodes of  
SKM 400 GB 062 D  
8) CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology  
Cases and mech. data → B6 – 62  
*)SEMITRANS4 → B6 – 168  
© by SEMIKRON  
0898  
B 6 – 57  
123456

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