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SKM300GBD12T4

更新时间： 2024-11-05 15:51:23

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅
页数	文件大小	规格书
5页	245K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 422A I(C), 1200V V(BR)CES

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SKM300GBD12T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.25	最大集电极电流 (IC)：	422 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	门极-发射极最大电压：	20 V
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	VCEsat-Max：	2.1 V
Base Number Matches：	1

SKM300GBD12T4 数据手册

SKM300GBD12T4

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

422

324

300

900

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3xI_Cnom

V_CC= 800 V

-20 ... 20

SEMITRANS^®3

Fast IGBT4 Modules

SKM300GBD12T4

Features

_GE≤ 15 V

_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

150

180

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• IGBT4 = 4. generation fast trench IGBT

(Infineon)

-40 ... 175

°C

Freewheeling diode

• CAL4 = Soft switching 4. generation

CAL-diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

440

329

400

1200

1980

T_j= 175 °C

• Isolated copper baseplate using DBC

technology (Direct Bonded Copper)

• Increased power cycling capability

• With integrated gate resistor

• For higher switching frequenzies up to

20kHz

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

-40 ... 175

°C

• UL recognized, file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

Typical Applications*

• Current source inverter

T_terminal= 80 °C

500

-40 ... 125

4000

°C

V_isol

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

Remarks

• The Fig.1 to Fig.9 are based on

measurements of the SKM300GB12T4

• The series diodes (FWD) have the

data of the inverse diodes of

SKM400GB12T4

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 300 A

• Case temperature limited to

Tc = 125°C max, recomm.

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.85

2.25

2.10

2.45

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

Top = -40 ... +150°C, product rel.

results valid for Tj = 150°

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.8

0.7

3.50

5.17

5.8

0.9

0.8

4.00

5.50

6.5

m



chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 12 mA

T_j= 25 °C

4.0

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

18.6

1.16

1.02

1700

2.5

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

GBD

Rev. 3 – 03.09.2013

12 3 4 5

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