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SKM300GB17E4

更新时间： 2024-11-06 14:54:11

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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6页	334K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)

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SKM300GB17E4 数据手册

SKM300GB17E4

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1700

476

368

300

900

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3 x I_Cnom

V_CC= 1000 V

-20 ... 20

SEMITRANS^®3

IGBT4 Modules

SKM300GB17E4

Features*

_GE≤ 15 V

_CES≤ 1700 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1700

314

231

300

600

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 2 x I_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• IGBT4 = 4th generation medium fast

trench IGBT (Infineon)

1836

-40 ... 175

°C

• CAL4 = Soft switching 4th generation

CAL-Diode

• Insulated copper baseplate using DBC

Technology (Direct Copper Bonding)

• With integrated Gate resistor

• For switching frequencies up to 8kHz

• UL recognized, file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

500

-40 ... 125

4000

°C

module without TIM

V_isol

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

Characteristics

Typical Applications

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic welders

• Wind power

• Public transport

I_C= 300 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.91

2.29

2.20

2.60

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

3.7

5.3

5.8

0.90

0.80

4.3

6.0

6.4

mΩ

Remarks

chiplevel

• Case temperature limited

to T_c= 125°C max.

V_GE= 15 V

chiplevel

• Recommended T_op= -40 ... +150°C

• Product reliability results valid

for T_j= 150°C

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE=V_CE, I_C= 12 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1700 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

5.2

4.0

27.2

1.06

0.88

2400

2.1

207

37.5

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 1200 V

T_j= 150 °C

_C= 300 A

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 2 Ω

_{G off}= 2 Ω

756

154

di/dt_on= 10200 A/

µs

di/dt_off= 1500 A/µs

dv/dt = 4500 V/µs

T_j= 150 °C

E_off

121

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

per IGBT, pre-applied phase change

material

0.083

K/W

0.038

0.023

R_th(c-s)

K/W

Rev. 2.0 – 06.05.2020

12 3 4 5 6

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