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FF300R12KS4

更新时间： 2024-11-20 07:07:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 261K
描述
Technische Information / technical information

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FF300R12KS4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.04其他特性：FAST
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：370 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1950 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：590 ns
标称接通时间 (ton)：180 nsVCEsat-Max：3.75 V
Base Number Matches：1

FF300R12KS4 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF300R12KS4  
62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten  
62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 60°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
300  
370  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
600  
1950  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,20 3,75  
3,85  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 12,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
3,20  
1,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
20,0  
1,40  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 3,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,10  
0,11  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 3,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,06  
0,07  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 3,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,53  
0,55  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 3,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,03  
0,04  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 300 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 5000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 3,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
25,0  
15,0  
2000  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 300 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V, du/dt = 7500 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓËË = 3,0 Â  
TÝÎ = 25°C  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,064 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,03  
K/W  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2008-09-03  
revision: 3.2  
approved by: Wilhelm Rusche  
1
12345678

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与FF300R12KS4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF300R12KS4HOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KS4P INFINEON

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 		暂无描述
FF300R12KT3 INFINEON

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 		62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode
FF300R12KT3_E INFINEON

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FF300R12KT3PEHOSA1 INFINEON

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FF300R12KT4 INFINEON

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 		Technische Information / technical information
FF300R12KT4P INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF300R12KT4PHOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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