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FF300R12KE4B2HOSA1

更新时间： 2024-02-11 20:41:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	418K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 460A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FF300R12KE4B2HOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.51	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	460 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	325 ns
Base Number Matches：	1

FF300R12KE4B2HOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF300R12KE4_B2

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4,ꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀM5ꢀLastanschlüsseꢀꢀ

62mmꢀC-seriesꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4,ꢀEmitterꢀControlledꢀdiodeꢀandꢀM5ꢀpowerꢀterminalsꢀꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 100°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

300

460

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

600

1600

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 300 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,75 2,15

2,00

2,05

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 11,5 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,2

5,8

2,40

2,5

19,0

0,70

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,20

0,25

0,27

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,045

0,05

0,055

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,50

0,60

0,62

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,10

0,16

0,18

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

16,5

25,0

30,0

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

23,5

35,0

39,0

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

1200

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,093 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,032

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF300R12KE4P	INFINEON	获取价格	暂无描述
FF300R12KE4PHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 300A I(C) \| M:HL093HW060
FF300R12KS4	INFINEON	获取价格	Technische Information / technical information
FF300R12KS4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
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FF300R12KT3HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KT3P_E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,

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