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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.58 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 300 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF300R06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF300R06KL2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 300A I(C) |
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| FF300R06ME3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 |
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| FF300R07KE4 | INFINEON |
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62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode |
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| FF300R07KE4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 365A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF300R07ME4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF300R07ME4_B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF300R07ME4B11BOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| FF300R07ME4P_B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| FF300R08W2P2_B11A | INFINEON |
获取价格 |
PressFIT |
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