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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 365 A | 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 配置： | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 491 ns | 标称接通时间 (ton)： | 143 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF300R07KE4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 365A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF300R07ME4 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF300R07ME4_B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF300R07ME4B11BOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| FF300R07ME4P_B11 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF300R08W2P2_B11A | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF300R12KE3 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode |
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| FF300R12KE3HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 440A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF300R12KE4 | INFINEON |
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Technische Information / technical information |
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| FF300R12KE4_B2 | INFINEON |
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62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and M5 power te |
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