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FF300R07ME4B11BOSA1

更新时间： 2024-11-18 19:52:35

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英飞凌 - INFINEON		栅
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FF300R07ME4B11BOSA1 技术参数

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Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	2.13
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF300R07ME4_B11

EconoDUAL™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀNTC

EconoDUAL™3ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀandꢀNTC

V_CES= 650V

I_{C nom}= 300A / I_CRM= 600A

TypischeꢀAnwendungen

• Hybrid-Nutzfahrzeuge

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles

• MotorꢀDrives

• SolarꢀAnwendungen

• USV-Systeme

• SolarꢀApplications

• UPSꢀSystems

ElektrischeꢀEigenschaften

ElectricalꢀFeatures

• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V

• ErhöhteꢀZwischenkreisspannung

• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V

• IncreasedꢀDCꢀlinkꢀVoltage

• Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender

• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

Kurzschlussstrom

CircuitꢀCurrent

• TrenchꢀIGBTꢀ4

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• TrenchꢀIGBTꢀ4

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

MechanischeꢀEigenschaften

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• IsolierteꢀBodenplatte

MechanicalꢀFeatures

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

• Kupferbodenplatte

• CopperꢀBaseꢀPlate

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• RobusteꢀselbsteinpressendeꢀMontage

• Standardgehäuse

• PressFITꢀContactꢀTechnology

• RuggedꢀselfactingꢀPressFITꢀassembly

• StandardꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀKY

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-12-15

revision:ꢀ3.1

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

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FF300R08W2P2_B11A	INFINEON	获取价格	PressFIT
FF300R12KE3	INFINEON	获取价格	62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode
FF300R12KE3HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 440A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KE4	INFINEON	获取价格	Technische Information / technical information
FF300R12KE4_B2	INFINEON	获取价格	62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and M5 power te
FF300R12KE4_E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FF300R12KE4B2HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 460A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KE4P	INFINEON	获取价格	暂无描述
FF300R12KE4PHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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