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FF300R06ME3 PDF预览

FF300R06ME3

更新时间： 2024-11-20 20:41:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 287K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10

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FF300R06ME3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10针数：10
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.6
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：400 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X10元件数量：2
端子数量：10最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：600 ns标称接通时间 (ton)：190 ns
Base Number Matches：1

FF300R06ME3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF300R06ME3  
EconoDUAL™2 Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode  
EconoDUAL™2 module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
600  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 70°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
300  
400  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
600  
940  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,45 1,90  
1,60  
1,70  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 4,80 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
4,9  
5,8  
3,20  
1,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
19,0  
0,57  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,11  
0,12  
0,13  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,05  
0,06  
0,06  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,49  
0,52  
0,53  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,05  
0,07  
0,07  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 300 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
2,50  
3,50  
4,00  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 300 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
8,00  
12,0  
13,0  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C  
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C  
2100  
1500  
A
A
I»†  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,16 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,06  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Knecht  
approved by: Roland Ott  
date of publication: 2009-01-14  
revision: 2.1  
1
12345678

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