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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 150 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF150R06KF3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL080HD5.4 |
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| FF150R06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL080HW048 |
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| FF150R06KL2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
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| FF150R10K | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | MODULE-S |
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| FF150R10KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF150R10KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF150R12KE3G | EUPEC |
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62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode |
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| FF150R12KE3G | INFINEON |
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62 mm 1200 V 150 A双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGBT、 |
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| FF150R12KE3GHOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF150R12KF | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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