Datasheet > FF150R12KS4B2HOSA1

FF150R12KS4B2HOSA1

更新时间： 2024-11-09 21:10:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	864K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FF150R12KS4B2HOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.52	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FF150R12KS4B2HOSA1 数据手册

浏览型号FF150R12KS4B2HOSA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号FF150R12KS4B2HOSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号FF150R12KS4B2HOSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号FF150R12KS4B2HOSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号FF150R12KS4B2HOSA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号FF150R12KS4B2HOSA1的Datasheet PDF文件第7页

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

62mmꢀC-Seriesꢀ模块ꢀ采用第二高速IGBT和碳化硅二极管针对高频应用

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀtheꢀfastꢀIGBT2ꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitching

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 150A / I_CRM= 300A

典型应用

TypicalꢀApplications

• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀApplication

• MedicalꢀApplications

• MotorꢀDrives

• 高频开关应用

• 医疗应用

• 电机传动

• 谐振逆变器应用

• 伺服驱动器

• UPS系统

• ResonantꢀInverterꢀAppliccations

• ServoꢀDrives

• UPSꢀSystems

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• 高短路能力，自限制短路电流

• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

CircuitꢀCurrent

• 低开关损耗

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• 无与伦比的坚固性

• V_CEsatꢀꢀ带正温度系数

• UnbeatableꢀRobustness

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 高爬电距离和电气间隙

• 绝缘的基板

• 铜基板

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

• CopperꢀBaseꢀPlate

• 标封装

• StandardꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与FF150R12KS4B2HOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF150R12KT3G	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF150R12KT3GHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF150R12ME3G	INFINEON	获取价格	EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FF150R12MS4G	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency
FF150R12MS4GBOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF150R12MS4GENG	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF150R12MT4	INFINEON	获取价格	EconoDUAL?2 Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und
FF150R12MT4BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF150R12RT4	INFINEON	获取价格	34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
FF150R12YT3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules

与FF150R12KS4B2HOSA1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

47
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FF150R12KS4B2HOSA1

FF150R12KS4B2HOSA1 技术参数

FF150R12KS4B2HOSA1 数据手册

与FF150R12KS4B2HOSA1相关器件

与FF150R12KS4B2HOSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FF150R12KS4B2HOSA1

FF150R12KS4B2HOSA1 技术参数

FF150R12KS4B2HOSA1 数据手册

与FF150R12KS4B2HOSA1相关器件

与FF150R12KS4B2HOSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？