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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF150R12KE3G | EUPEC |
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62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode |
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| FF150R12KE3G | INFINEON |
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62 mm 1200 V 150 A双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGBT、 |
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| FF150R12KE3GHOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF150R12KF | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF150R12KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF150R12KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF150R12KS4 | EUPEC |
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62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4 | INFINEON |
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62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4_B2 | INFINEON |
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62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4B2HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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