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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF150R12KL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF150R12KS4 | EUPEC |
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62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4 | INFINEON |
获取价格 |
62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4_B2 | INFINEON |
获取价格 |
62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4B2HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF150R12KT3G | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF150R12KT3GHOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF150R12ME3G | INFINEON |
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EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
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| FF150R12MS4G | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency |
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| FF150R12MS4GBOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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