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FF150R12KT3G

更新时间： 2024-01-28 20:41:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅晶体管
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8页 257K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FF150R12KT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.48外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：225 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：780 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：680 ns标称接通时间 (ton)：215 ns
VCEsat-Max：2.15 VBase Number Matches：1

FF150R12KT3G 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF150R12KT3G  
62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emcon High Efficiency Diode  
62mm C-series module with the fast trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
collector-emitter voltage  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
150  
225  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
300  
780  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 150 A, V•Š = 15 V  
I† = 150 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,70 2,15  
1,90  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 6,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,0  
5,8  
1,40  
5,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
11,0  
0,50  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 150 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,16  
0,17  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 150 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,04  
0,045  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 150 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,45  
0,52  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 150 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,10  
0,16  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
7,50  
11,0  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH  
V•Š = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓËË = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
14,5  
22,0  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
600  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,16 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
0,03  
K/W  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2007-10-19  
revision: 3.0  
approved by: Wilhelm Rusche  
1
12345678

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与FF150R12KT3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF150R12KT3GHOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF150R12ME3G INFINEON

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 		EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FF150R12MS4G INFINEON

获取价格

 		EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency
FF150R12MS4GBOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF150R12MS4GENG INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF150R12MT4 INFINEON

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 		EconoDUAL?2 Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und
FF150R12MT4BOMA1 INFINEON

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FF150R12RT4 INFINEON

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 		34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
FF150R12YT3 EUPEC

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 		IGBT-modules
FF150R12YT3BOMA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24

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