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FF150R12KE3GHOSA1

更新时间： 2024-02-17 01:20:54

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	387K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FF150R12KE3GHOSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	14 weeks	风险等级：	2.08
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	225 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	830 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	Base Number Matches：	1

FF150R12KE3GHOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF150R12KE3G

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀHighꢀEfficiencyꢀDiodeꢀ

62mmꢀC-seriesꢀmoduleꢀwithꢀtheꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHighꢀEfficiencyꢀdiodeꢀ

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Collector-emitterꢀvoltage

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

150

225

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

300

780

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

2,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

1,40

5,0

11,0

0,50

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,25

0,30

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,09

0,10

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,55

0,65

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,13

0,18

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

11,0

26,0

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

600

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,16 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,03

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02

revision:ꢀ3.2

12 3 4 5 6 7 8

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与FF150R12KE3GHOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF150R12KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 150A I(C) \| M:HL093HW048
FF150R12KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 150A I(C) \| M:HL093HW048
FF150R12KL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 150A I(C) \| M:HL093HW048
FF150R12KS4	EUPEC	获取价格	62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
FF150R12KS4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
FF150R12KS4_B2	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
FF150R12KS4B2HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FF150R12KT3G	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF150R12KT3GHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF150R12ME3G	INFINEON	获取价格	EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode

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