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FF150R12YT3BOMA1

更新时间： 2024-02-21 17:31:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	445K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24

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FF150R12YT3BOMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.32	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X24
元件数量：	2	端子数量：	24
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	610 ns	标称接通时间 (ton)：	330 ns
Base Number Matches：	1

FF150R12YT3BOMA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF150R12YT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

150

200

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

300

625

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

1,90

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

1,40

5,0

10,5

0,40

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,26

0,29

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,03

0,04

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,42

0,52

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,07

0,09

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

9,50

14,0

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

12,0

18,0

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

600

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,18 0,20 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,13

K/W

°C

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

preparedꢀby:ꢀAC

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF150R17KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with Trench/Feldstopp Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled
FF150R17ME3G	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode
FF1575M42-AP71	ETC	获取价格	1575.42 MHz SAW Filter (Low insertion loss)
FF1575M42-KP72	ETC	获取价格	1575.42 MHz SAW Filter for GPS
FF-1585-10	JMK	获取价格	Operating Voltage = 250/480 V~, 50 / 60 Hz Operating Voltage = 125/208 V~, 50 - 400 Hz
FF-1585-40	JMK	获取价格	Operating Voltage = 250/480 V~, 50 / 60 Hz Operating Voltage = 125/208 V~, 50 - 400 Hz
FF15MW	SWST	获取价格	快恢复整流管
FF15R10K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1KV V(BR)CES \| 15A I(C) \| MODULE-S
FF15R10KN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1KV V(BR)CES \| 15A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF15R12KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 15A I(C) \| M:HL080HD5.3

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