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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 最大集电极电流 (IC)： | 150 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF150R12KS4 | EUPEC |
获取价格 |
62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4 | INFINEON |
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62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4_B2 | INFINEON |
获取价格 |
62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FF150R12KS4B2HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF150R12KT3G | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF150R12KT3GHOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FF150R12ME3G | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
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| FF150R12MS4G | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency |
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| FF150R12MS4GBOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF150R12MS4GENG | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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