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FF150R12YT3

更新时间： 2024-01-19 05:13:43
品牌 Logo 应用领域
EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 304K
描述
IGBT-modules

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FF150R12YT3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MODULE-24
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.55
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：200 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X24元件数量：2
端子数量：24封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：610 ns标称接通时间 (ton)：330 ns
Base Number Matches：1

FF150R12YT3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF150R12YT3  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
150  
200  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
300  
625  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 150 A, V•Š = 15 V  
I† = 150 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,70 2,15  
1,90  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 6,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,0  
5,8  
1,40  
5,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
10,5  
0,40  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 150 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,26  
0,29  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 150 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,03  
0,04  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 150 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,42  
0,52  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 150 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,07  
0,09  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 40 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
9,50  
14,0  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 40 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
12,0  
18,0  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
600  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,18 0,20 K/W  
0,13 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Andre Christmann  
approved by: Marc Buschkühle  
date of publication: 2006-11-28  
revision: 2.0  
1
12345678

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与FF150R12YT3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF150R12YT3BOMA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
FF150R17KE4 INFINEON

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 		Operating Voltage = 250/480 V~, 50 / 60 Hz Operating Voltage = 125/208 V~, 50 - 400 Hz
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FF15R10K ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | MODULE-S
FF15R10KN ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | M:HL080HD5.3

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