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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.14 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 250 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 930 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 355 ns | VCEsat-Max： | 2.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MG360V1US41 | TOSHIBA |
功能相似  |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF150R17ME3G | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode |
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| FF1575M42-AP71 | ETC |
获取价格 |
1575.42 MHz SAW Filter (Low insertion loss) |
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| FF1575M42-KP72 | ETC |
获取价格 |
1575.42 MHz SAW Filter for GPS |
|
| FF-1585-10 | JMK |
获取价格 |
Operating Voltage = 250/480 V~, 50 / 60 Hz Operating Voltage = 125/208 V~, 50 - 400 Hz |
|
| FF-1585-40 | JMK |
获取价格 |
Operating Voltage = 250/480 V~, 50 / 60 Hz Operating Voltage = 125/208 V~, 50 - 400 Hz |
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| FF15MW | SWST |
获取价格 |
快恢复整流管 |
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| FF15R10K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | MODULE-S |
|
| FF15R10KN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF15R12KF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF1600R12IP7 | INFINEON |
获取价格 |
1200 V 1600 A PrimePACK? 2 双IGBT模块，采用TRENCHST |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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