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MG360V1US41

更新时间: 2024-02-15 17:47:14
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
6页 324K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG360V1US41 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数:5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.86
Is Samacsys:N其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):360 A
集电极-发射极最大电压:1700 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):1500 ns门极发射器阈值电压最大值:8 V
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X5
元件数量:1端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:3600 W
最大功率耗散 (Abs):3600 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1000 ns标称接通时间 (ton):500 ns
VCEsat-Max:4.5 VBase Number Matches:1

MG360V1US41 数据手册

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