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FF150R12MS4GBOSA1

更新时间： 2024-02-24 10:56:38

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	451K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11

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FF150R12MS4GBOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11	针数：	11
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	5.51
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	225 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	元件数量：	2
端子数量：	11	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	590 ns
标称接通时间 (ton)：	180 ns	Base Number Matches：	1

FF150R12MS4GBOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF150R12MS4G

EconoDUAL™3ꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀIGBT2ꢀfürꢀhochfrequentesꢀSchaltenꢀ

EconoDUAL™3ꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀIGBT2ꢀforꢀhighꢀswitchingꢀfrequencyꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 75°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

150

225

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

300

1250

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,20 3,70

3,85

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

1,60

1,7

11,0

0,50

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,10

0,11

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,06

0,07

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,53

0,55

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,03

0,04

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 2700 A/µs

R_Gon= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

9,00

14,5

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 6500 V/µs

R_Goff= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

8,00

11,0

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

950

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,10 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,03

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀCU

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF150R12MS4GENG	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF150R12MT4	INFINEON	获取价格	EconoDUAL?2 Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und
FF150R12MT4BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF150R12RT4	INFINEON	获取价格	34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
FF150R12YT3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FF150R12YT3BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
FF150R17KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with Trench/Feldstopp Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled
FF150R17ME3G	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode
FF1575M42-AP71	ETC	获取价格	1575.42 MHz SAW Filter (Low insertion loss)
FF1575M42-KP72	ETC	获取价格	1575.42 MHz SAW Filter for GPS

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