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FDW2512NZ_NL

更新时间： 2024-11-22 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 264K
描述
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDW2512NZ_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.37配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDW2512NZ_NL 数据手册

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December 2004  
FDW2512NZ  
®
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench  
MOSFET  
Features  
General Description  
! 6A, 20V  
r
= 0.028Ω, V = 4.5V  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance  
and yet maintain low gate charge for superior switching  
performance. These devices are well suited for portable  
electronics applications.  
DS(ON)  
GS  
r
= 0.036Ω, V = 2.5V  
GS  
DS(ON)  
! Extended V range (±12 V) for battery applications  
GS  
! HBM ESD Protection Level of 3.5kV Typical (note 3)  
! High performance trench technology for extremely low  
r
DS(ON)  
! Low profile TSSOP-8 package  
Applications  
! Load switch  
! Battery charge  
! Battery disconnect circuits  
D1  
D2  
G2  
S2  
S2  
D2  
G1  
S1  
S1  
D1  
G1  
G2  
S1  
S2  
Pin 1  
TSSOP-8  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDW2512NZ Rev. A  
www.fairchildsemi.com  
1
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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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