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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS6986AS
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FDS6986AS

更新时间： 2024-11-11 21:54:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 177K
描述
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDS6986AS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：4419Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：so81-1Samacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.9 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6986AS 数据手册

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March 2005  
FDS6986AS  
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench® SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS6986AS is designed to replace two single SO-  
•
Q2:  
Optimized to minimize conduction losses  
Includes SyncFET Schottky body diode  
8
MOSFETs and Schottky diode in synchronous  
DC:DC power supplies that provide various peripheral  
voltages for notebook computers and other battery  
powered electronic devices. FDS6986AS contains two  
unique 30V, N-channel, logic level, PowerTrench  
MOSFETs designed to maximize power conversion  
efficiency.  
7.9A, 30V  
R
DS(on) = 20 mΩ @ VGS = 10V  
RDS(on) = 28 mΩ @ VGS = 4.5V  
•
Q1:  
Optimized for low switching losses  
Low gate charge (10 nC typical)  
6.5A, 30V  
RDS(on) = 29 mΩ @ VGS = 10V  
RDS(on) = 38 mΩ @ VGS = 4.5V  
The high-side switch (Q1) is designed with specific  
emphasis on reducing switching losses while the low-  
side switch (Q2) is optimized to reduce conduction  
losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode  
using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.  
Q2  
5
6
7
8
4
3
Q1  
2
SO-8  
1
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q2  
Q1  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
±20  
7.9  
30  
30  
±16  
6.5  
20  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
0.9  
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6986AS  
FDS6986AS  
FDS6986AS  
FDS6986AS_NL (Note 4)  
13”  
13”  
12mm  
12mm  
2500 units  
2500 units  
FDS6986AS Rev A(X)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...10

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FDS6986AS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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