是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 1.52 |
雪崩能效等级(Eas): | 600 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 120 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 102 A | 最大漏极电流 (ID): | 102 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0072 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 30 pF | JEDEC-95代码: | MO-240AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 187 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 538 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 56.2 ns | 最大开启时间(吨): | 50.5 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS8622 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 16.5 A | |
FDMS8622 | ONSEMI |
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N 沟道,Power Trench® MOSFET,100V,16.5A,56mΩ | |
FDMS86250 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 20 A, 2 | |
FDMS86250 | ONSEMI |
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N 沟道,Power Trench® MOSFET,150V,30A,25mΩ | |
FDMS86252 | FAIRCHILD |
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Max rDS(on) = 51 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.6 | |
FDMS86252 | ONSEMI |
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N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V,16A,51mΩ | |
FDMS86252L | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FDMS86252L | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,150V,12A,56mΩ | |
FDMS86255 | ONSEMI |
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N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V,45A,12.4mΩ | |
FDMS86255ET150 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V,63 A,12.4m |