5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 4.47 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1067438 | Samacsys Pin Count： | 10 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | PQFN8 5X6, 1.27P CASE 483AE ISSUE A_2019OCT | Samacsys Released Date： | 2019-12-27 10:27:35 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 264 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 120 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 65 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0115 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-240AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMS86202 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，64A，7.2mΩ |
|
| FDMS86202ET120 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，102A，7.2mΩ |
|
| FDMS8622 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 16.5 A |
|
| FDMS8622 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，100V，16.5A，56mΩ |
|
| FDMS86250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 20 A, 2 |
|
| FDMS86250 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，30A，25mΩ |
|
| FDMS86252 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Max rDS(on) = 51 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.6 |
|
| FDMS86252 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V，16A，51mΩ |
|
| FDMS86252L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDMS86252L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，150V，12A，56mΩ |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
