FDMS86200DC

更新时间： 2024-09-25 12:27:43

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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DUAL COOLâ¢ PACKAGE POWERTRENCHÂ® MOSFETs

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FDMS86200DC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	7.95
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	294 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A
最大漏极电流 (ID)：	9.3 A	最大漏源导通电阻：	0.017 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-240AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMS86200DC 数据手册

DUAL COOL^™PACKAGE POWERTRENCH^®MOSFETs

Dual Cool^™packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is

the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance ﬂexibility. With enhanced dual

path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predecessors, the use of a heat sink with

Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. Test results prove that, when a heat sink

is used with our Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and

increased power density. With Fairchild’s trench silicon technology, Dual Cool packaging technology proves to be a

clear leader in power density and thermal performance. Our Dual Cool package solutions are lead free and RoHS

compliant and are available in 3.3 mm x 3.3 mm and 5 mm x 6 mm PQFN packages.

Features

•ꢀ Top-side cooling, lower thermal resistance from

Bottom

Top

junction to top

3.3 mm x 3.3 mm

5 mm x 6 mm

•ꢀ Same land pattern as 5 mm x 6 mm and

3.3 mm x 3.3 mm PQFN – JEDEC standard

•ꢀ Allows higher current and power dissipation

•ꢀ Highest power density for DC-DC applications

•ꢀ Use with or without a heat sink, reduces the

number of qualiﬁed components in the BOM

Maximum Power Dissipation

•ꢀ Multiple suppliers without cross licensing

Capable of >60% Better Thermal Performance

requirements

•ꢀ High degree of production commonality with

Dual Cool Package

standard PQFN packaging

3.3mm x 3.3mm

Air Flow =

200LFM

•ꢀ 25 V - 150 V portfolio

Standard PQFN

No Air Flow

3.3mm x 3.3mm

Applications

•ꢀ Point-of-load (POL) synchronous-buck conversion

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

•ꢀ Servers

Power Loss (W) T_JMax. = 90°C, T_a=50°C

•ꢀ Telecommunications, routing and switching

•ꢀ Heat path from top only

5mm x 6mm Package

Q_JA(°C/W)

(%) Improvement from Wire Package

Interconnect

PQFN Wire

PQFN Clip

27.1

23.8

17.2

13.9

57.5

Dual Cool Package

Environment: Minimum Pad, Heat Sink, 200LFM Forced Air

fairchildsemi.com

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与FDMS86200DC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMS86201	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 120 V, 35 A, 1
FDMS86201	ONSEMI	获取价格	N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V，49A，11.5mΩ
FDMS86202	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，64A，7.2mΩ
FDMS86202ET120	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，102A，7.2mΩ
FDMS8622	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET 100 V, 16.5 A
FDMS8622	ONSEMI	获取价格	N 沟道，Power Trench® MOSFET，100V，16.5A，56mΩ
FDMS86250	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 150 V, 20 A, 2
FDMS86250	ONSEMI	获取价格	N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，30A，25mΩ
FDMS86252	FAIRCHILD	获取价格	Max rDS(on) = 51 mÎ© at VGS = 10 V, ID = 4.6
FDMS86252	ONSEMI	获取价格	N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V，16A，51mΩ

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