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FDMS86200 PDF预览

FDMS86200

更新时间： 2024-09-26 11:13:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 520K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，35A，18mΩ

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FDMS86200 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.96
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A最大漏极电流 (ID)：9.6 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS86200 数据手册

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FDMS86200  
MOSFET, N‐Channel,  
Shielded Gate,  
POWERTRENCH)  
150 V, 35 A, 18 mW  
www.onsemi.com  
General Description  
This N−Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor’s  
®
advanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded  
S
D
D
D
Gate technology. This process has been optimized for the on−state  
resistance and yet maintain superior switching performance.  
S
S
G
Features  
• Shielded Gate MOSFET Technology  
D
• Max r  
• Max r  
= 18 mW at V = 10 V, I = 9.6 A  
GS D  
DS(on)  
= 21 mW at V = 6 V, I = 8.8 A  
DS(on)  
GS  
D
N-Channel MOSFET  
• Advanced Package and Silicon combination for low r  
efficiency  
• MSL1 robust package design  
and high  
DS(on)  
Top  
Bottom  
S
Pin 1  
S
• 100% UIL tested  
• RoHS Compliant  
S
G
D
D
Applications  
D
D
• DC−DC Conversion  
Power 56  
(PQFN8)  
CASE 483AE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current:  
Ratings  
Unit  
V
MARKING DIAGRAM  
V
DS  
V
GS  
150  
20  
V
S
S
D
D
I
D
A
$Y&Z&3&K  
FDMS  
86200  
− Continuous T = 25°C  
35  
9.6  
100  
C
− Continuous T = 25°C (Note 1a)  
A
S
D
D
− Pulsed  
G
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation:  
220  
mJ  
W
AS  
P
D
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot  
T
= 25°C  
104  
2.5  
C
T = 25°C (Note 1a)  
A
T , T  
Operating and Storage Junction Tempera-  
ture Range  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
FDMS86200  
= Specific Device Code  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
November, 2018 − Rev. 2  
FDMS86200/D  
1234567

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与FDMS86200相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86200DC FAIRCHILD

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 		DUAL COOL™ PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs
FDMS86200DC ONSEMI

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 		N 沟道双 CoolTM 56 屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V
FDMS86201 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 120 V, 35 A, 1
FDMS86201 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V，49A，11.5mΩ
FDMS86202 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，64A，7.2mΩ
FDMS86202ET120 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，102A，7.2mΩ
FDMS8622 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 16.5 A
FDMS8622 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，100V，16.5A，56mΩ
FDMS86250 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 20 A, 2
FDMS86250 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，30A，25mΩ

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