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FDG6301N PDF预览

FDG6301N

更新时间： 2024-09-15 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 228K
描述
Dual N-Channel, Digital FET

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FDG6301N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.99
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：0.22 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDG6301N 数据手册

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July 1999  
FDG6301N  
Dual N-Channel, Digital FET  
General Description  
Features  
25 V, 0.22 A continuous, 0.65 A peak.  
These dual N-Channel logic level enhancement mode  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process is especially tailored to  
minimize on-state resistance. This device has been  
designed especially for low voltage applications as a  
replacement for bipolar digital transistors and small  
RDS(ON) = 4 W @ VGS= 4.5 V,  
RDS(ON) = 5 W @ VGS= 2.7 V.  
Very low level gate drive requirements allowing direct  
operation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V).  
Gate-Source Zener for ESD ruggedness  
(>6kV Human Body Model).  
signal MOSFETs.  
Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package.  
SuperSOTTM-8  
SO-8  
SOT-23  
SuperSOTTM-6  
SC70-6  
SOT-223  
S2  
1 or 4 *  
G2  
6 or 3  
D1  
2 or 5  
3 or 6  
5 or 2  
D2  
G1  
S1  
4 or 1 *  
SC70-6  
*The pinouts are symmetrical; pin 1 and 4 are interchangeable.  
Units inside the carrier can be of either orientation and will not affect the functionality of the device.  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
FDG6301N  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain/Output Current  
25  
8
V
- Continuous  
- Pulsed  
0.22  
0.65  
0.3  
A
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1)  
W
°C  
kV  
TJ,TSTG  
ESD  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
6.0  
Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D  
Human Body Model(100 pF / 1500 W)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
415  
°C/W  
FDG6301N Rev.E1  
12345678

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FDG6301N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDG6335N FAIRCHILD

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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