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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI1902DL-T1-E3
SI1902DL-T1-E3 PDF预览

SI1902DL-T1-E3

更新时间： 2024-11-14 07:03:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 104K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1902DL-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.43Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最大漏极电流 (ID)：0.66 A
最大漏源导通电阻：0.385 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.27 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1902DL-T1-E3 数据手册

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Si1902DL  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
TrenchFET® Power MOSFETS: 2.5 V Rated  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
0.70  
0.54  
Pb-free  
Available  
0.385 at VGS = 4.5 V  
0.630 at VGS = 2.5 V  
20  
RoHS*  
COMPLIANT  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
S
1
1
2
3
6
D
1
Marking Code  
PA  
XX  
5
4
G
1
G
2
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
D
2
S
2
Top View  
Ordering Information: Si1902DL-T1 (with Tape and Reel)  
Si1902DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free with Tape and Reel)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
VDS  
20  
12  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
0.70  
0.50  
0.66  
0.48  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
1.0  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
0.25  
0.30  
0.16  
0.23  
0.27  
0.14  
T
T
A = 25 °C  
A = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
360  
Maximum  
415  
Unit  
t ≤ 5 sec  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
400  
460  
°C/W  
RthJF  
300  
350  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 71080  
S-51415–Rev. H, 03-Apr-06  
www.vishay.com  
1
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SI1902DL-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMGD290XN,115 NXP

功能相似

 PMGD290XN - Dual N-channel TrenchMOS extremely low level FET TSSOP 6-Pin
FDG6317NZ FAIRCHILD

功能相似

 Dual 20v N-Channel PowerTrench MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1902DL-T1-GE3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI1903 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI1903DL VISHAY

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