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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI1904EDH
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SI1904EDH

更新时间： 2024-11-14 09:26:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 45K
描述
DUAL N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

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SI1904EDH 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.64 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI1904EDH 数据手册

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Si1904EDH  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFETS: 2.5-V Rated  
D ESD Protected: 1800 V  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Thermally Enhanced SC-70 Package  
APPLICATIONS  
0.810 @ V = 4.5 V  
0.73  
0.65  
GS  
25  
1.04 @ V = 2.5  
V
GS  
D Load Switching  
D PA Switch  
D Level Switch  
D
1
D
2
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
S
1
G
1
D
2
1
2
3
6
D
1
Marking Code  
CB XX  
2 kW  
2 kW  
G
G
2
1
5
4
G
2
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
S
2
Top View  
S
1
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
25  
DS  
V
"8  
GS  
T
= 25_C  
= 85_C  
0.64  
0.46  
0.73  
0.53  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
2
DM  
a
Continuous Diode Current (Diode Conduction)  
I
0.61  
0.74  
0.38  
0.48  
0.57  
0.30  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
130  
170  
80  
170  
220  
100  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71445  
S-03929—Rev. B, 21-May-01  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1905 VISHAY

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SI1905BDH VISHAY

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 		TRANSISTOR 570 mA, 8 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC
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