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SI1912EDH-T1-GE3 PDF预览

SI1912EDH-T1-GE3

更新时间： 2024-11-14 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 252K
描述
TRANSISTOR 1130 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI1912EDH-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.33其他特性：ESD PROTECTION
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.13 A最大漏极电流 (ID)：1.13 A
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.74 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN (SN)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1912EDH-T1-GE3 数据手册

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Si1912EDH  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
1.28  
1.13  
1.0  
Definition  
0.280 at VGS = 4.5 V  
0.360 at VGS = 2.5 V  
0.450 at VGS = 1.8 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated  
ESD Protected: 2000 V  
Thermally Enhanced SC-70 Package  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
20  
APPLICATIONS  
•
•
•
Load Switching  
PA Switch  
Level Switch  
D1  
D2  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
S
1
G
1
D
2
1
2
3
6
D
1
Marking Code  
CA XX  
1 k  
1 k  
G1  
G2  
5
4
G
2
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
S
2
Top View  
Ordering Information:  
S1  
S2  
Si1912EDH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1912EDH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
12  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
1.28  
0.92  
1.13  
0.81  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Diode-Current (Diode Conduction)a  
4
0.61  
0.74  
0.38  
0.48  
0.57  
0.30  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 85 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
Maximum  
170  
Unit  
t ≤ 5 s  
130  
170  
80  
Maximum Junction-to-Ambienta  
°C/W  
Steady State  
Steady State  
220  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
100  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71408  
S10-1054-Rev. B, 03-May-10  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1913DH VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1913DH-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI1913EDH VISHAY

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