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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.37 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.73 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | PURE MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1922EDH | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SI1922EDH-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 20V DUAL SOT-363 |
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| SI1926DL | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI1926DL_10 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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| SI1926DL-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI1958DH | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SI1958DH_10 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
|
| SI1958DH-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1965DH | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SI1965DH-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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