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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3 PDF预览

SI1926DL-T1-E3

更新时间： 2024-10-14 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 143K
描述
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI1926DL-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：0.76
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.37 A
最大漏极电流 (ID)：0.34 A最大漏源导通电阻：1.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.51 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1926DL-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si1926DL  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
Qg (Typ)  
ID (A)  
ESD Protected: 1800 V  
1.4 at VGS = 10 V  
3.0 at VGS = 4.5 V  
0.37  
0.25  
RoHS  
60  
0.47  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
•
Low Power Load Switch  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
D
1
D
2
S
1
6
5
D
1
1
1
2
Marking Code  
PD XX  
G
D
2
3
G
2
G
1
G
2
Lot Traceability  
and Date Code  
4
S
2
Part # Code  
S
1
S
2
Top View  
Ordering Information: Si1926DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
60  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
0.37  
0.30  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
0.34b, c  
0.27b, c  
0.65  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
0.43  
0.25b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
TC = 25 °C  
0.51  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
0.33  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
0.30b, c  
0.20b, c  
- 55 to 150  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
360  
Maximum  
415  
Unit  
t ≤ 5 s  
°C/W  
RthJF  
300  
350  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 400 °C/W.  
Document Number: 73684  
S-72193-Rev. B, 22-Oct-07  
www.vishay.com  
1
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