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SI1972DH-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 19:56:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 122K
描述
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI1972DH-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.3 A最大漏极电流 (ID)：1.3 A
最大漏源导通电阻：0.225 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1972DH-T1-GE3 数据手册

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Si1972DH  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)a  
1.3  
Qg (Typ.)  
Definition  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
0.190 at VGS = 10 V  
0.344 at VGS = 4.5 V  
30  
0.91 nC  
100 % R Tested  
g
1.3  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
•
Load Switch for Portable Applications  
S
1
G
1
D
2
1
2
3
6
5
D
1
D
1
D
2
Marking Code  
CE XX  
G
2
Lot Traceability  
and Date Code  
4
S
2
G
G
2
Part # Code  
1
Top View  
Ordering Information:  
Si1972DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1972DH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
S
2
1
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
1.3a  
1.3a  
1.3a  
1.2  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
4
T
C = 25 °C  
TA = 25 °C  
C = 25 °C  
1
Continuous Source-Drain Diode Current  
0.61c  
1.25  
0.8  
0.74b, c  
0.47b, c  
T
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Symbol  
Typical  
130  
Maximum  
170  
Unit  
RthJA  
t 5 s  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
80  
100  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 220 °C/W.  
Document Number: 74398  
S12-0335-Rev. C, 13-Feb-12  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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SI1972DH-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1972DH-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI1900DL-T1-E3 VISHAY

类似代替

 MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
FDG6335N FAIRCHILD

功能相似

 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs

与SI1972DH-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1988DH VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1988DH-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1988DH-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI-20001 BEL

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