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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 541563 |
| Samacsys Pin Count： | 6 | Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | SOT23 (6-Pin) | Samacsys Footprint Name： | SC-70 6 LEADS |
| Samacsys Released Date： | 2017-10-20 15:09:44 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.225 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1970DH-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI1972DH | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1972DH_07 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1972DH_10 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI1972DH-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1972DH-T1-GE3 | VISHAY |
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DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI1988DH | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1988DH-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1988DH-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI-20001 | BEL |
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Telecom and Datacom Connector |
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