是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SC-70 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压: | 12 V | 最大漏极电流 (ID): | 1 A |
最大漏源导通电阻: | 0.37 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI1917EDH-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
SI1917EDH-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 1000 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND | |
SI1922EDH | VISHAY |
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Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SI1922EDH-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 20V DUAL SOT-363 | |
SI1926DL | VISHAY |
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Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI1926DL_10 | VISHAY |
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Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | |
SI1926DL-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI1958DH | VISHAY |
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Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SI1958DH_10 | VISHAY |
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Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SI1958DH-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |