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SI1905BDH-T1-GE3 PDF预览

SI1905BDH-T1-GE3

更新时间： 2024-11-14 21:09:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 105K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.58A I(D), 8V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN

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SI1905BDH-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SC-70, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (ID)：0.58 A
最大漏源导通电阻：0.542 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Pure Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1905BDH-T1-GE3 数据手册

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Si1905BDH  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 0.63  
- 0.52  
- 0.20  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.542 at VGS = - 4.5 V  
0.798 at VGS = - 2.5 V  
1.2 at VGS = - 1.8 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 8  
10.5 nC  
APPLICATIONS  
• Load Switch for Portable Devices  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
S
1
G
1
D
2
1
6
5
D
1
Marking Code  
DJ XX  
2
3
G
2
Lot Traceability  
and Date Code  
Part #  
Code  
4
S
2
Top View  
Ordering Information: Si1905BDH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1905BDH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 8  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
8
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
- 0.63  
- 0.50  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
- 0.58a, b  
T
A = 25 °C  
- 0.47a, b  
- 1.8  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Currenta, b  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
- 0.30  
- 0.25a, b  
0.357  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
0.228  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
0.301a, b  
T
0.193a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
415  
Unit  
t ≤ 5 s  
360  
400  
300  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
460  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
350  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under steady state conditions is 400 °C/W.  
Document Number: 74638  
S10-0792-Rev. C, 05-Apr-10  
www.vishay.com  
1
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与SI1905BDH-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1905DL VISHAY

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 		Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1905DL-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 570 mA, 8 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET
SI1905DL-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.57A I(D), 8V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI1905DL-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 570 mA, 8 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC
SI1906DL VISHAY

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 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1906DL-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI1906DL-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI1907DL VISHAY

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 		Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1907DL-T1-E3 VISHAY

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 		Trans MOSFET P-CH 12V 0.53A 6-Pin SC-70 T/R
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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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