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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSSOP | 包装说明： | PLASTIC, SC-88, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.18 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.86 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.86 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.41 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI1902DL-T1-E3 | VISHAY |
功能相似  |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| NTUD3169CZT5G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−96 |
|
| NTUD3170NZT5G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N−Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT−963 Pack |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMGD370XN | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel mTrenchMOS extremely low level FET |
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| PMGD370XN,115 | NXP |
获取价格 |
PMGD370XN - Dual N-channel TrechMOS extremely low level FET TSSOP 6-Pin |
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| PMGD400UN | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET |
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| PMGD400UN,115 | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET TSSOP 6-Pin |
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| PMGD-50 | PMI |
获取价格 |
GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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| PMGD-51 | PMI |
获取价格 |
GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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| PMGD-52 | PMI |
获取价格 |
GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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| PMGD-53 | PMI |
获取价格 |
GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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| PMGD-54 | PMI |
获取价格 |
GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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| PMGD-55 | PMI |
获取价格 |
GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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