Datasheet > PMGD370XN

PMGD370XN

更新时间： 2024-11-14 10:07:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
12页	87K
描述
Dual N-channel mTrenchMOS extremely low level FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PMGD370XN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-88
包装说明：	PLASTIC, SC-88, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.74 A
最大漏极电流 (ID)：	0.74 A	最大漏源导通电阻：	0.44 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.41 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

PMGD370XN 数据手册

PMGD370XN

Dual N-channel µTrenchMOS™ extremely low level FET

Rev. 01 — 27 February 2004

Product data

MBD128

1. Product proﬁle

1.1 Description

Dual N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Surface mounted package

■ Dual device

■ Footprint 40% smaller than SOT23

■ Fast switching

■ Low on-state resistance

■ Low threshold voltage.

1.3 Applications

■ Driver circuits

■ Switching in portable appliances.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 30 V

■ I_D≤ 0.74 A

■ P_tot≤ 0.41 W

■ R_DSon≤ 440 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT363 (SC-88), simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s1)

gate (g1)

Simpliﬁed outline

Symbol

drain (d2)

source (s2)

gate (g2)

MSD901

drain (d1)

MSA370

Top view

SOT363 (SC-88)

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

PMGD370XN 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDG8850NZ	ONSEMI	功能相似	双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30 V，0.75A，0.4 mΩ
PMGD370XN,115	NXP	功能相似	PMGD370XN - Dual N-channel TrechMOS extremely low level FET TSSOP 6-Pin
FDG6303N	FAIRCHILD	功能相似	Dual N-Channel, Digital FET

与PMGD370XN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PMGD370XN,115	NXP	获取价格	PMGD370XN - Dual N-channel TrechMOS extremely low level FET TSSOP 6-Pin
PMGD400UN	NXP	获取价格	Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET
PMGD400UN,115	NXP	获取价格	Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET TSSOP 6-Pin
PMGD-50	PMI	获取价格	GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS
PMGD-51	PMI	获取价格	GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS
PMGD-52	PMI	获取价格	GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS
PMGD-53	PMI	获取价格	GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS
PMGD-54	PMI	获取价格	GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS
PMGD-55	PMI	获取价格	GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS
PMGD-56	PMI	获取价格	GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS

与PMGD370XN相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

1
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

1
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PMGD370XN

PMGD370XN 技术参数

PMGD370XN 数据手册

PMGD370XN 替代型号

与PMGD370XN相关器件

与PMGD370XN相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PMGD370XN

PMGD370XN 技术参数

PMGD370XN 数据手册

PMGD370XN 替代型号

与PMGD370XN相关器件

与PMGD370XN相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？