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SI1903DL-T1

更新时间： 2024-11-14 06:11:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	94K
描述
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI1903DL-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.41 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI1903DL-T1 数据手册

Si1903DL

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

Available

D 2.5-V Rated

D Lead (Pb)-Free Version is RoHS

0.995 @ V = −4.5 V

"0.44

"0.40

"0.32

Compliant

−20

1.190 @ V = −3.6

1.80 @ V = −2.5

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

QA XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

Ordering Information: Si1903DL-T1

Si1903DL-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−20

"12

= 25_C

= 85_C

"0.41

"0.30

"0.44

"0.31

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

"1.0

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

−0.25

0.30

−0.23

0.27

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

0.16

0.14

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

360

400

300

415

460

350

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71081

S-50694—Rev. C, 18-Apr-05

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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