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FDF60BA50

更新时间： 2024-11-15 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
SANREX 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 106K
描述
DIODE MODULE F.R.D

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FDF60BA50 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.6 V
最大非重复峰值正向电流：600 A元件数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：60 A
最大重复峰值反向电压：500 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO

FDF60BA50 数据手册

 浏览型号FDF60BA50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDF60BA50的Datasheet PDF文件第3页 
（F.R.D.）  
DIODE MODULE  
FDF60BA50/60  
UL;E76102（M）  
Power Diode Module FDF60BA is designed for single phase full wave rectification,  
which has four fast recovery diodes connected in a single phase bridge configuration.  
FDF60BA is suitable for high frequency application requiring low loss and high speed  
control.  
80  
21.5  
21.5  
10.0  
5-M5  
●
rr  
High Speed t ≦100ns  
● Output Current, DC60A  
● Isolated Mounting base.  
－�  
＋�  
（Applications）  
Switching Power Supply, Inverter Welding Power  
Supply  
11 11  
1.1  
1.1  
67.0  
60.0  
Power Supply for Telecommunication  
～�～�  
～�  
Unit：㎜  
＋�－�  
■Maximum Ratings  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
Symbol  
Item  
Unit  
FDF60BA50  
500  
FDF60BA60  
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
D.C. Reverse Voltage  
600  
480  
V
V
VR（DC）  
400  
Symbol  
Item  
Output current  
Conditions  
Ratings  
60  
Unit  
A
ID  
D.C. Tc：80℃  
1
IFSM  
Surge Forward Current  
Z
600  
A
／ cycle, 60H , peak value, non-repetitive  
2
2
2
2
I
I t  
Value for one cycle of surge current  
1490  
A S  
t
Tj  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
－40 to ＋150  
－40 to ＋125  
2500  
℃
℃
V
Tstg  
VISO  
A.C. 1 minute  
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）  
Mountin  
（
g
M6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40）  
4.7（48）  
2.7（28）  
200  
Mounting  
Torque  
N･m  
（㎏f･B）  
Terminal（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Mass  
Typical Value  
g
■Electrical Characteristics  
Ratings  
Symbol  
Item  
Conditions  
V ＝V , T ＝125℃  
Unit  
Typ.  
Max.  
60  
IRRM  
VFM  
Repetitive Peak Reverse Current  
Forward Voltage Drop  
Reverse Recovery Time  
Thermal Impedance  
R
RRM  
j
mA  
V
F
1.40  
85  
1.60  
100  
0.36  
I ＝60A, Inst. measurement  
trr  
F
ns  
I ＝60A，－di/dt＝100A/μs  
Rth（j-c）  
Junction to case（a module）  
℃/W  
SanRex  
®
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
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