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FDFMA2N028Z_08

更新时间： 2024-11-16 03:16:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 肖特基二极管
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8页 648K
描述
Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68mヘ

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March 2008  
FDFMA2N028Z  
Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode  
20V, 3.7A, 68mΩ  
Features  
General Description  
This device is designed specifically as a single package solution  
for a boost topology in cellular handset and other ultra-portable  
applications. It features a MOSFET with low on-state resistance,  
and an independently connected schottky diode with low forward  
voltage.  
MOSFET  
„ Max rDS(on) = 68mΩ at VGS = 4.5V, ID = 3.7A  
„ Max rDS(on) = 86mΩ at VGS = 2.5V, ID = 3.3A  
„ HBM ESD protection level > 2kV (Note 3)  
The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal  
performance for its physical size and is well suited to switching  
and linear mode applications.  
Schottky  
„ VF < 0.37V @ 500mA  
„ Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package MicroFET  
2x2 mm  
Application  
„ DC - DC Conversion  
„ RoHS Compliant  
Pin 1  
D
NC  
A
C
6
A 1  
5
4
2
3
NC  
D
G
S
C
S
G
MicroFET 2X2  
MOSFET Maximum Ratings TJ = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
20  
V
V
±12  
(Note 1a)  
3.7  
ID  
A
6
Power Dissipation  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.4  
PD  
W
0.7  
TJ, TSTG  
VRR  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
Schottky Average Forward Current  
-55 to +150  
°C  
V
20  
2
IO  
A
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
(Note 1d)  
86  
173  
86  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
°C/W  
140  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
8mm  
Quantity  
.N28  
FDFMA2N028Z  
MicroFET 2X2  
7’’  
3000 units  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDFMA2N028Z Rev.B1  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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